用InSb基发光器件和探测器件制成气体传感系统。近年来，通过在硅基上生长高性能的InSb结构，充分利用硅基材料与InSb材料的优点，实现了功能器件和电路的融合，颇具工程价值而成为纳米尺度器件发展的重要方向。
惠丰在对焦平面读出电路的移位寄存器前站定，“我们利用磁控溅射技术在Si衬底上生长了InSb薄膜和InSb/SiO2/SiXOI结构，综合分析了InSb薄膜和InSb/SiO2/Si异质结的晶体结构，并结合光学和电学性能表征，对材料的结构与性能之间的关系进行了深入研究。现在我们到产品展示室我来为大家演示硅基锑化铟薄膜的制备。”
一路上，惠丰和常怀明从容不迫地回答了海斯与鲁道夫的各种问题。作为技术官员的南德此时却再无问语，仿佛除了硅基锑化铟薄膜的制备技术外，这里的一切在他眼中无出其右。
德国人认真没话说。可时间长了惠丰体会就是对这种认真尊敬过后的厌烦，因为他们认真得实在太慢了。你稍微和德国人谈一些具体的事情，其实只是闲聊的话题，德国人通常在手边有纸有笔的情况下，会在纸上画些有助理解的表格，比如做一件工作，第一步应该这样，然后第二步如何，之后可能引出频频的第三步，第四步。开始觉得很有意思，也很清楚明白，但是经历多了，就发现德国人无论什么事都按照这种一二三的思维模式来进行，确实有时和我们的想法不太合拍，以致于我常常产生这样的幻觉：到底他在讲解的时候画下的这些表格是有助于我的理解呢？还是对于他自己的理解更有帮助，让德国人自己把自己的想法弄得更明白。
等来到了演示室，惠丰打开了投影仪，从首先使用真空电弧炉制备磁控溅射用的InSb靶材，采用调节靶材成分的方法来实现溅射InSb薄膜的正常化学计量比。研究了不同溅射工艺对InSb薄膜结构和性能的影响。到随着溅射功率的增大或是溅射压强逐渐增大时，InSb薄膜的性态变化情况。
“……不同温度退火的薄膜霍尔测量结果表明，77K和300K下薄膜均为n型，薄膜的迁移率和载流子浓度随着退火温度的上升均有不同程度的增加。……对比两种不同的退火方式可知，InSb薄膜经常规热退火后的迁移率除200℃退火的样品外，其余皆低于经快速热退火处理后的样品……
南德适时插话道：“也就是说利用磁控溅射生长了InSb/SiO2/SiXOI结构，通过透射电镜来分析。生长的驱动力是温度梯度？”得到惠丰的肯定后，长知识的南德很是开心。
中午，简单的工作餐之后，因为绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。惠丰利用一件样品实地演示热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率，为明晰碎裂机理，基于等效设想，利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题，同时综合考虑材料线膨，胀系数的温度依赖性、材料强度的各向异性、表面加工损伤效应，合理选取InSb材料性能参数，建立起128×128面阵探测器结构有限元分析模型。模拟结果通过计算机仿真和实验加以验证。
鲁道夫等三人戴着护目镜亲自观察了窄光束掠入射条件下的反射衍射情况。
对于很多德国人来讲，在他们工作范围内的这种认真，就是一种工作程序化，惠丰相信海斯与鲁道夫恐怕根本不明白InSb基化合物半导体材料的合格光线应该是什么样的，可依然和南德看得一样聚精会神，连敷衍也是这般认真。
下午三点的时候，镜夏的德国客户满意的走了，常怀明松了口气，看了看惠丰道：“你跟我来办公室一趟。”