你来想办法了，我会详细的向你解释区熔法的原理，以及每一个部件的详细功能！
当然，操作的大体步骤也是可以提供供你们参考的……”
走到旁边的办公桌上，拿起纸笔、尺子，姚冬便开始了区熔法生长炉图纸的绘制工作。
首先是起稳定作用的底座，底座内装有坩埚上升旋转机构，接着是主熔室，上下炉壁内使用真空泵抽真空。
外壁层向里，之后分别是绝缘层、加热组件、石墨坩埚，在炉室的另一侧配置直径控制传感器，颈口部位使用隔离阀确保单晶硅生长时炉内气体外泄。
外延烟囱状部位内有引导籽晶的吊绳，以及惰性气体氩气的进气口。最上方使用上升旋转机构封口。
最后，配上集合控制各个部位操作的控制系统，这样立式悬浮区熔法的图纸就算是绘制完毕了。
“教授，这就是大致的垂直区熔法设备的图纸了。值得注意的是，区熔法和直拉法的加热方式是有很大区别的，直拉法采用的是电阻加热直接将固体多晶硅加热成熔融状态从而进行生长。
而区熔法是利用电子轰击、高频感应或者是光学聚焦法将一段多晶硅区域融化，使液体靠表面张力支持而不坠落，然后靠移动多晶硅或者加热器使熔区移动。
这种方法不使用石英坩埚，能避免坩埚污染，由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶！”
至于更加先进的分室区熔技术，这个还等待下一阶段的试验成果出来再说吧！
贪多嚼不烂，每一位科学家对于未知的技术都是非常好奇的，为了不分散他们的注意力影响工作，只能将其好奇心扼杀在摇篮里了……