第二十八章 单晶硅（2 / 2）

要步骤为：

（一）引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体；

（二）缩颈：生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防止籽晶中的位错延伸到晶体中；

（三）放肩：将晶体控制到所需直径；

（四）等径生长：根据熔体和单晶炉情况，控制晶体等径生长到所需长度；

（五）收尾：直径逐渐缩小，离开熔体；

（六）降温：降底温度，取出晶体，待后续加工。

而安德烈的问题就是出现在制备的第一步中。